电极Al层加厚对水平结构LED芯片性能的影响

• 作者: 周婷 殷榆婷 马介渊
• 来源期刊: 现代信息科技
• 学科: 工学
• 关键词: 水平结构LED 电极 Al层
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 电子工程
• 页码范围: 53-55
• 页数: 3页
• 分类号: TN406|TM923.34
• 字数: 1031字
• 语种: 中文

摘要

随着水平结构LED市场的竞争越来越残酷,提高产品性能和质量成为各芯片大厂的当务之急.本文在水平结构LED上制备了4种不同Al层厚度的Cr/Al/Cr/Au结构电极,通过比对其电压、亮度和可靠性发现:2500?-7500?范围内,Al层厚度每增大1000?,LED的电压会降低约0.01V,且亮度和可靠性不变;当Al层厚度增大到10000?以上时,Al层侧面出现无Au覆盖缺口,电极Al层容易被氧化、腐蚀,周围出现黑色鼓包异常,对LED的电压、亮度和可靠性造成毁灭性影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马介渊		4	0	0.0	0.0
2	殷榆婷		3	0	0.0	0.0
3	周婷		3	0	0.0	0.0