低温热氧化法制备Bi2Mo3O12介质薄膜

• 作者: 丁明建 冯毅龙 庄严 杨俊锋
• 来源期刊: 广州化学
• 学科: 工学
• 关键词: 介电性能 薄膜 热氧化 Bi2Mo3O12
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 24-29
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 2301字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16560/j.cnki.gzhx.20180302

摘要

通过直流磁控溅射法在Si/SiO2/Pt基片表面沉积摩尔比为2:3的Bi/Mo多层薄膜.系统研究了热氧化温度对上述薄膜的物相组成、微观形貌、介电性能的影响.X-射线衍射(XRD)数据表明,420～480℃可热氧化形成介质薄膜.420℃氧化,薄膜的物相为Bi2O3、MoO3、Bi2MoO6和Bi2Mo3O12;450℃和480℃氧化,薄膜的主相均为Bi2Mo3O12,另有少量Bi2MoO6存在.扫描电镜(SEM)观察结果显示,薄膜在450℃即已致密、均匀.介电性能测试结果显示,480℃氧化的介质薄膜,具有较优的介电性能:1 kHz测量,介电常数约15.6,介电损耗约0.65％;5.55 kV/mm电场强度下,漏电流密度约3.4×10-7A/mm2.考虑到Bi/Mo薄膜极低的成膜温度(480℃)及直流磁控溅射Bi/Mo金属薄膜较大的沉积速率(92 nm/min),直流磁控溅射Bi/Mo金属薄膜,然后热氧化成Bi2Mo3O12介质薄膜,在工业上具有应用价值,有望应用于嵌入式薄膜电容器的制备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁明建		9	3	1.0	1.0
2	冯毅龙		8	3	1.0	1.0
3	杨俊锋		7	3	1.0	1.0
4	庄严		6	2	1.0	1.0