碳化硅MOSFET特征参数随温度变化的比较研究

• 作者: 杨树 江芙蓉 盛况
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiCMOSFET 温度 导通电阻 阈值电压 迁移率 界面态
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 功率器件
• 页码范围: 143-151
• 页数: 9页
• 分类号: TM86
• 字数: 5596字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2018.6.143

摘要

通过对Cree公司三代SiC MOSFET样品在-160～200℃温度下进行测试,提取出每代器件在不同温度下的阈值电压、导通电阻等特征参数.分析比较了三代产品阈值电压、导通电阻随温度的变化趋势,以及不同温度下导通电阻与栅极电压的关系.运用建立物理模型的方法,对三代产品阈值电压、导通电阻各组成部分与温度的关系进行了比较研究.解释了SiC MOSFET的阈值电压的温度变化率随产品更新而逐代降低的原因,是栅极SiO2/SiC界面存在的陷阱密度在逐代地下降.通过TCAD仿真拟合转移特性随温度的变化,验证了新产品的界面态密度的降低,同时佐证了SiC MOSFET的技术水平在近几年有显著提升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	盛况	浙江大学电气工程学院	28	745	8.0	27.0
2	江芙蓉	浙江大学电气工程学院	1	1	1.0	1.0
3	杨树	浙江大学电气工程学院	2	1	1.0	1.0