在非晶硅上制备角度可控缓坡的方法

• 作者: 张根 杜波 杨泰 秦康宁 蒋欣 钟慧 马晋毅
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 正胶 光刻 非晶硅 干法刻蚀 反应离子刻蚀
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 670-673
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2882字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11977/j.issn.1004-2474.2018.05.008

摘要

介绍了一种利用光的衍射原理制备角度可控缓坡微结构的方法.该方法在光刻步骤中通过调节掩膜板与基片之间的垂直距离来控制光刻胶图形边缘曝光量,光刻显影后得到剖面为正梯形的光刻胶图形,再经过干法刻蚀得到非晶硅的缓坡微结构.结果表明,制备的非晶硅缓坡结构角度(可小于30°)可控,制备方法简单,与半导体工艺兼容,可避免湿法刻蚀带来的过蚀及角度不均匀问题.