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摘要:
论述了一种基于芯片级封装(WLCSP)的双通道多功能芯片电路设计技术和封装应用方案,采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺并基于有源矢量合成结构进行设计,测试结果表明该芯片增益大于12 dB,输出功率大于为7 dBm,移相精度小于7°,通道隔离度大于28 dB,单通道功电流小于90 mA,该芯片可大幅降低相控阵系统成本和体积,为5 G通信、卫星通信等应用领域提供研制基础.
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内容分析
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文献信息
篇名 采用芯片级封装的14 GHz~18 GHz双通道多功能芯片设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 集成电路 芯片级封装 矢量合成 双通道
年,卷(期) 2018,(3) 所属期刊栏目 固态电子器件及材料
研究方向 页码范围 554-559
页数 6页 分类号 TN075
字数 2799字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2018.03.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谢卓恒 2 1 1.0 1.0
2 王阆 1 0 0.0 0.0
3 韦学强 2 3 1.0 1.0
4 赵恒 中国电子科技集团公司第二十四研究所 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路
芯片级封装
矢量合成
双通道
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
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