镓镁锌氧化物透明导电薄膜的制备及其表征

• 作者: 康淮 朱雅 陆轴 顾锦华
• 来源期刊: 中南民族大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 掺杂氧化锌 透明导电薄膜
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 物理与电子信息科学
• 页码范围: 88-94
• 页数: 7页
• 分类号: TM914
• 字数: 849字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-4321.2018.04.018

摘要

采用磁控溅射方法制备了镓镁锌氧化物(GaMgZnO)透明导电薄膜,通过X射线衍射仪、四探针仪和分光光度计的测试分析,研究了沉积温度对GaMgZnO薄膜微观结构和电光性能的影响.结果显示:所制备的样品均为六角纤锌矿结构的多晶薄膜并具有c轴择优取向生长特点,其结晶质量和电光性能与沉积温度密切相关.当沉积温度为550 K时,GaMgZnO薄膜的晶粒尺寸最大(51.72 nm)、晶格应变最小(1.11′10-3)、位错密度(3.73×1014 line×m-2)、电阻率最低(1.63×10-3 W?cm)、可见光区平均透过率(82.41％)、品质因数最大(5.06×102 W-1?cm-1),具有最好的结晶质量和光电综合性能.另外采用光学表征方法获得了薄膜样品的光学能隙,结果表明由于受Burstein-Moss效应的影响,GaMgZnO薄膜的光学能隙均大于未掺杂ZnO的数值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾锦华	中南民族大学实验教学与实验室管理中心	33	183	9.0	12.0
2	陆轴	中南民族大学电子信息工程学院	19	78	6.0	8.0
3	康淮	中南民族大学电子信息工程学院	11	61	6.0	7.0
4	朱雅	中南民族大学电子信息工程学院	7	2	1.0	1.0