低轴间耦合的MEMS三维电场传感器

• 作者: 任仁 储昭志 凌必赟 夏善红 张洲威 彭春荣 雷虎成
• 来源期刊: 电子与信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS 3维 电场传感器 轴间耦合干扰
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1934-1940
• 页数: 7页
• 分类号: TP212
• 字数: 3667字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11999/JEIT171188

摘要

轴间耦合干扰是影响3维电场传感器测量准确性的重要因素.该文提出了一种低耦合干扰的MEMS 1维电场敏感芯片,并将3个上述的芯片正交组合研制出一款低轴间耦合的MEMS 3维电场传感器.不同于已见报道的测量垂直方向电场分量的MEMS 1维电场敏感芯片,该文提出的芯片采用轴对称设计,在差分电路的配合下能够测量垂直于对称轴方向的面内电场分量,并能够消除正交于测量轴方向的电场分量的耦合干扰.该MEMS 3维电场传感器具尺寸小和集成度高等优点.实验结果表明在0～120 kV/m电场强度范围内,该MEMS 3维电场传感器的轴间耦合灵敏度小于3.48％,3维电场测量误差小于7.13％.