低电压SRAM测试电路设计与实现

• 作者: 吕凯 王昌强 王荧 肖建 荣佑丽 蔡志匡
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 低电压SRAM DFT 内建自测试 故障覆盖率
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1394-1400
• 页数: 7页
• 分类号: TN47
• 字数: 4701字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2018.06.009

摘要

针对一款256 kbit的低电压8T SRAM芯片进行测试电路设计,电路主要包括DFT电路和内建自测试电路两部分,前者针对稳定性故障有着良好的覆盖率,后者在传统March C+算法基础上,提出了一种March-Like算法,该算法能够实现更高的故障覆盖率.仿真结果表明,DFT电路能够减小稳定性故障的最小可检测电阻,提高了稳定性故障的测试灵敏度;March-Like算法可以检测到低电压SRAM阵列中的写破坏耦合故障、读破坏耦合故障和写干扰故障.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡志匡	南京邮电大学电子与光学工程学院	7	14	2.0	3.0
3	肖建	南京邮电大学电子与光学工程学院	41	184	8.0	12.0
6	王昌强	南京邮电大学电子与光学工程学院	2	3	1.0	1.0
7	王荧	南京邮电大学电子与光学工程学院	1	1	1.0	1.0
8	荣佑丽	南京邮电大学电子与光学工程学院	1	1	1.0	1.0
9	吕凯	南京邮电大学电子与光学工程学院	1	1	1.0	1.0