Al-N共掺SnO2材料电子结构和光学性质

• 作者: 徐帅 杨平
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理 局域密度近似 电子结构 光学性质 杂质能级 红移
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 页码范围: 47-51
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3474字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.12.012

摘要

采用基于第一性原理的局域密度近似方法研究了Al-N共掺SnO2中不同N掺杂位置模型的电子结构和光学性质.掺杂Al或N元素后呈p型导电并且带隙拓宽,最大值可达到1.748 eV;N元素引入了杂质能级,使得可见光区的介电函数虚部ε2(ω)增加,进而提高了低能区的吸收系数和吸收边发生了红移,反射率也增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨平	江苏大学机械工程学院	39	198	8.0	11.0
2	徐帅	江苏大学机械工程学院	2	2	1.0	1.0