针对Nor-Flash高深宽比STI的ALD&SiCoNi新型复合填充工艺开发及优化

• 作者: 倪立华 周惟舜 张守龙
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 浅沟槽隔离填充 负载效应 ALD SiCoNi 工艺优化
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 34-40
• 页数: 7页
• 分类号: TN405
• 字数: 3633字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.09.008

摘要

依据产品研发需求,解决传统STI填充工艺在Nor-Flash高深宽比STI填充中极易产生孔洞的问题.结合实验数据和理论分析,提出传统填充工艺的图形负载效应和微观负载效应,并首创ALD&SiCoNi新型复合填充工艺,实现高深宽比STI的无孔洞填充.在此基础上,完成工艺窗口的优化,帮助Nor-Fiash产品良率逾越70％ 大关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	倪立华		2	0	0.0	0.0
2	周惟舜		1	0	0.0	0.0
3	张守龙		2	0	0.0	0.0