<111>晶向标定方法及其在湿法刻蚀硅光栅中的应用

• 作者: 刘正坤 徐向东 梁榉曦 洪义麟 邱克强 郑衍畅
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 湿法刻蚀 硅光栅 晶向标定 各向导性
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3584字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20182601.0001

摘要

在利用单晶硅的各向异性腐蚀制作光栅的过程中,掩模与硅晶向的精密对准是获取大尺寸光栅结构的前提条件,高对准精度将显著降低光栅槽型侧壁粗糙度.设计并制作了一种扇形图案,通过以该图案为掩模的预刻蚀,可快速准确发现硅基底内晶格取向.通过此方法进行晶向标定,并利用紫外光刻与湿法刻蚀,成功研制了尺寸为15 mm×15 mm、高度为48.3 μm、周期为5 μm、高宽比为20的矩形光栅结构,线条侧壁粗糙度RMS值为0.404 nm;利用全息光刻与湿法刻蚀成功研制了大高宽比深槽矩形光栅及三角形槽光栅.矩形槽光栅尺寸为50 mm×60 mm,高度为4.8 μm,周期为333 nm,高宽比为100,侧壁粗糙度RM S值为0.267 nm.三角形槽光栅周期为2.5 μm,侧壁粗糙度RM S值为0.406 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐向东	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	74	701	15.0	21.0
2	洪义麟	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	56	478	13.0	19.0
3	邱克强	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	25	135	6.0	10.0
4	刘正坤	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	32	132	6.0	9.0
5	郑衍畅	安徽工程大学机械与汽车工程学院	7	6	2.0	2.0
6	梁榉曦	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	2	5	2.0	2.0