用于Cu-ULK工艺的阻挡层抛光液

• 作者: 姚颖 宋凯 蔡鑫元
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 阻挡层 化学机械抛光 超低介电材料 抛光液
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2987字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.07.012

摘要

随着超低介电常数(ultra-lowk)材料被引入新的集成电路制造工艺技术节点,对阻挡层抛光液提出了极大的挑战.阻挡层抛光液必须具有高的阻挡层材料和介电层材料(TEOS)的去除速率,可调节的铜的去除速率以及低的ULK材料的去除速率,这样在阻挡层抛光过程中可以很好地停在ULK材料上以及获得好的晶圆表面形貌修正能力,且抛光后不影响ULK材料的介电常数k值.文中通过选用合适的ULK材料去除速率抑制剂,解决了抛光后ULK材料k值变化的问题,采用合适的腐蚀抑制剂,解决了铜表面腐蚀的问题和制约铜去除速率的问题,通过对阻挡层抛光液配方的优化,从而得到一种适用于Cu-ULK工艺的阻挡层抛光液.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚颖		1	0	0.0	0.0
2	宋凯		1	0	0.0	0.0
3	蔡鑫元		1	0	0.0	0.0