YF3/氧化物烧结助剂对碳化硅陶瓷热导率的影响

• 作者: 史玉升 吕文中 吴甲民 李安 李晨辉 范桂芬
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅陶瓷 氟化钇 热压烧结 热导率
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 25-30
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2554字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.01.004

摘要

利用YF3/氧化物体系作为烧结助剂热压烧结碳化硅陶瓷,研究了此体系中氧化物的种类、含量对样品的致密度、导热性能、物相成分、微观形貌的影响.实验结果表明,在烧结温度1900 ℃、压力50 MPa条件下,YF3/氧化物体系烧结助剂对碳化硅陶瓷热导率有所提升,其中同时添加5wt%YF3+3wt%MgO双相烧结助剂的SiC陶瓷性能最优,其致密度为98.93%,热扩散系数为71.40 mm2/s,热导率为154.29 W/(m· K).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史玉升	华中科技大学材料科学与工程学院	217	3141	29.0	44.0
2	吕文中	华中科技大学光学与电子信息学院电子信息材料教育部重点实验室	87	901	15.0	26.0
3	李晨辉	华中科技大学材料科学与工程学院	32	326	11.0	17.0
4	范桂芬	华中科技大学光学与电子信息学院电子信息材料教育部重点实验室	18	74	5.0	8.0
5	李安	华中科技大学光学与电子信息学院电子信息材料教育部重点实验室	6	24	3.0	4.0
6	吴甲民	华中科技大学材料科学与工程学院	9	31	2.0	5.0