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两种考虑温度影响的SiC JFET仿真模型
两种考虑温度影响的SiC JFET仿真模型
作者:
Muhammad Ali
王莉娜
邓洁
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
碳化硅
JFET
仿真模型
温度影响
静态特性
动态特性
摘要:
针对目前物理建模方法参数获取困难、行为建模方法需要大量实验数据的问题,该文提出两种简单易用的考虑温度影响的SiC JFET功率器件Saber环境建模方法.模型Ⅰ基于Saber软件提供的JFET模板实现,问题的难点转化为如何准确提取建模对象SiC JFET的相关模板参数;模型Ⅱ根据器件厂商提供的SiC JFET的PSpice模型,在Saber环境中搭建相应的电路实现,问题的难点转化为如何分析透彻器件厂商提供的模型中各参数的物理意义,并如何调整这些参数使其能准确模拟建模对象的静态和动态特性.该文详细阐述两种仿真模型的特点及具体实现方法,并从静态特性和动态特性两个方面,从仿真和实验两个角度,验证两种仿真模型的正确性和有效性,比较两种建模方法的适用性.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名
两种考虑温度影响的SiC JFET仿真模型
来源期刊
中国电机工程学报
学科
工学
关键词
碳化硅
JFET
仿真模型
温度影响
静态特性
动态特性
年,卷(期)
2018,(2)
所属期刊栏目
电力电子与电力传动
研究方向
页码范围
562-572
页数
11页
分类号
TM85
字数
语种
中文
DOI
10.13334/j.0258-8013.pcsee.170140
五维指标
作者信息
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王莉娜
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节点文献
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JFET
仿真模型
温度影响
静态特性
动态特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国电机工程学报
主办单位:
中国电机工程学会
出版周期:
半月刊
ISSN:
0258-8013
CN:
11-2107/TM
开本:
大16开
出版地:
北京清河小营东路15号 中国电力科学研究院内
邮发代号:
82-327
创刊时间:
1964
语种:
chi
出版文献量(篇)
16022
总下载数(次)
42
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