改善PECVD制程良率的方法初探

• 作者: 张小忠
• 来源期刊: 中国设备工程
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 制程良率 改善方式
• 年，卷（期）: 2018,（14）
• 所属期刊栏目: 改造与更新
• 页码范围: 78-79
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2825字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-0711.2018.14.044

摘要

研究对PECVD制成良率进行改善和优化的方法,在PECVD中,Active在Gate膜的上方,Gate膜属于金属膜,设置在玻璃基板之上,而Active膜属于半导体膜,能够划分为5个层次,GH膜与上述两种膜产生直接接触,厚度为H,选择一定厚度的GH层进行沉膜处理,厚度为H1,通过毛刷清洗的方式将表面杂物清理干净,然后进行二次沉膜,主要针对表面凹凸不平之处,厚度为H2,H2属于H与H1的差值,随着H2数值的不断减小,使PECVD制程良率得到有效的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张小忠		1	0	0.0	0.0