管式PECVD设备多晶硅镀膜均匀性的改善研究

• 作者: 姚玉 李化阳 李良 王俊 王霞 赵勇
• 来源期刊: 太阳能
• 关键词: 多晶硅 管式PECVD 镀膜均匀性 改善
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 技术产品与工程
• 页码范围: 43-47
• 页数: 5页
• 字数: 3611字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0417.2019.10.008

摘要

为改善多晶硅片在管式PECVD设备中的镀膜均匀性,主要从镀膜工艺参数的设定、硅片制绒面反射率及石墨舟状态这3个方面进行了镀膜均匀性研究.结果表明:在保证良率的前提下,当外层压力为1700 mTorr、内层氮硅比为4.487、射频功率为7600 W时,调节直接链接变量(DLV)优化石墨舟各区温度且定期清理腔体内部的碎片可改善镀膜均匀性;在一定范围内,制绒面反射率增加,片内均匀性更优;新石墨舟对镀膜均匀性有明显改善,在使用周期内,运行30次时均匀性达到最优.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王俊		2	0	0.0	0.0
2	李良		3	4	1.0	2.0
3	李化阳		4	4	1.0	2.0
4	姚玉		2	0	0.0	0.0
5	王霞		2	0	0.0	0.0
6	赵勇		2	0	0.0	0.0