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一种快速响应无片外电容低压差线性稳压器
一种快速响应无片外电容低压差线性稳压器
作者:
佟星元
李茂
董嗣万
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
低压差稳压器
无片外电容
快速瞬态响应
面积小
摘要:
为了改善负载跳变对低压差线性稳压器(LDO)的影响,该文提出一种用于无片外电容LDO(CL-LDO)的新型快速响应技术.通过增加一条额外的快速通路,实现CL-LDO的快速瞬态响应,并且能够减小LDO输出过冲和下冲的幅度.该文电路基于0.18μm CMOS工艺设计实现,面积为0.00529 mm2.流片测试结果表明,当输入电压范围为1.5~2.5 V时,输出电压为1.194 V;当负载电流以1μs的上升时间和下降时间在100μA~10 mA之间变化时,CL-LDO的过冲恢复时间为489.537 ns,下冲恢复为960.918 ns;相比未采用该技术的传统CL-LDO,响应速度能够提高7.41倍,输出过冲和下冲的电压幅值能够分别下降35.3%和78.1%.
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低功耗
无片外电容
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适用于FlashMemory的快速响应的低压差稳压器
低压差稳压器
无片外电容
缓冲级
自适应基准
摆率增强
一种快速瞬态响应的无片外电容LDO的设计
无片外电容
自动检测网络
瞬态响应
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
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期刊文献
内容分析
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相关文献总数
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文献信息
篇名
一种快速响应无片外电容低压差线性稳压器
来源期刊
电子与信息学报
学科
工学
关键词
低压差稳压器
无片外电容
快速瞬态响应
面积小
年,卷(期)
2019,(11)
所属期刊栏目
论文
研究方向
页码范围
2592-2598
页数
7页
分类号
TN431.2
字数
3303字
语种
中文
DOI
10.11999/JEIT181060
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
佟星元
西安邮电大学电子工程学院
14
59
3.0
7.0
2
董嗣万
西安邮电大学电子工程学院
5
1
1.0
1.0
3
李茂
西安邮电大学电子工程学院
1
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传播情况
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低压差稳压器
无片外电容
快速瞬态响应
面积小
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与信息学报
主办单位:
中国科学院电子学研究所
国家自然科学基金委员会信息科学部
出版周期:
月刊
ISSN:
1009-5896
CN:
11-4494/TN
开本:
大16开
出版地:
北京市北四环西路19号
邮发代号:
2-179
创刊时间:
1979
语种:
chi
出版文献量(篇)
9870
总下载数(次)
11
总被引数(次)
95911
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
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学科类型:
数理科学
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