单分子晶体管中电子的量子干涉效应

• 来源期刊: 光学精密机械
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子干涉效应 分子晶体管 电子 国家重点实验室 厦门大学 表面物理化学 半导体器件 计算机芯片
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 10-10
• 页数: 1页
• 分类号: O431.2

摘要

从厦门大学获悉,该校固体表面物理化学国家重点实验室洪文晶团队和英国兰卡斯特大学Colin Lambert教授、上海电力大学陈文博团队合作,在国际上首次发现了在单分子电化学晶体管中电子的量子干涉效应,在此基础上制备出基于量子效应的高性能单分子电化学晶体管,为当前计算机芯片突破硅基半导体器件物理极限提供一个全新思路。