铟量子点实现单电子晶体管方法

• 作者: 刘玉贵 吕苗 武一斌 赵正平 郝跃 郭荣辉
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子晶体管 库仑阻塞 量子点
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 186-189
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 2340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2006.02.006

摘要

研究了一种新型的铟量子点单电子晶体管,它是利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长方法得到的.实现了在纳米电极间隙上生长铟量子点.该结构由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了多岛结构的单电子晶体管.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	吕苗		13	61	3.0	7.0
3	刘玉贵		8	15	2.0	3.0
4	郭荣辉	西安电子科技大学微电子研究所	5	9	2.0	2.0
5	赵正平	西安电子科技大学微电子研究所	3	7	2.0	2.0
6	武一斌		1	2	1.0	1.0