电子束辐照对锗锑碲非晶薄膜影响的研究

• 作者: 张丹利 张伟 王疆靖 田琳 蒋婷婷
• 来源期刊: 中国材料进展
• 学科: 物理学
• 关键词: GeSbTe 非晶 电子束辐照 结晶化 原位TEM
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 青年园地
• 页码范围: 110-115
• 页数: 6页
• 分类号: O751
• 字数: 4209字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7502/j.issn.1674-3962.2019.02.05

摘要

相变存储器是目前最具潜力的新式存储设备之一,其存储性能主要取决于相变材料的结构-性能关系,因此结构表征对于相变存储非常重要.透射电子显微镜(TEM)是表征材料形貌、结构的重要手段,但是高能电子束会对材料的结构造成暂时或永久性的影响,这种影响也为表征非晶相变材料带来了极大的挑战,包括已经商业化的GeSbTe合金.利用原位TEM系统地研究了电子束辐照对GeSb2Te4非晶薄膜样品的影响,发现非晶薄膜在较大电子束束流强度下会发生结晶化,而降低束流强度将能够有效保持非晶的稳定性.量化了电子束束流诱发GeSb2Te4非晶薄膜晶化的阈值,给出了电子束流强度和辐照诱导相变时间的关系,为利用TEM研究GeSbTe非晶材料的结构与性能提供了有效的安全界限.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室微纳尺度材料行为研究中心	90	799	14.0	26.0
2	田琳	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室微纳尺度材料行为研究中心	5	12	2.0	3.0
3	王疆靖	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室微纳尺度材料行为研究中心	1	1	1.0	1.0
4	蒋婷婷	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室微纳尺度材料行为研究中心	1	1	1.0	1.0
5	张丹利	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室微纳尺度材料行为研究中心	1	1	1.0	1.0