纳米沟道真空场发射三极管的制备及其特性研究

• 作者: 刘逸为 吴胜利 张劲涛 龙铭刚
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 真空场发射三极管 导电薄膜厚度 真空沟道 场发射特性 栅控特性
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 414-419
• 页数: 6页
• 分类号: TN11|TN48
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2019.05.10

摘要

基于表面传导电子发射源制备技术制备了一种平面底栅型真空场发射三极管(VFET),器件在真空中实现了良好的栅控特性和场发射特性,并初步获得了在大气环境中的电学性能.采用不同厚度的氧化钯(PdO)作为导电薄膜,通过电形成工艺使导电薄膜龟裂制备真空沟道,研究分析了导电薄膜厚度对真空沟道形成、真空及大气环境下器件电子发射性能的影响.结果 表明,PdO薄膜过薄会因其电阻较大而无法聚集足够的焦耳热使薄膜龟裂形成真空沟道,过厚则不能使薄膜完全断裂形成真空沟道;在保证可形成真空沟道的情况下,选择更薄的PdO薄膜有利于降低电形成电压并获得更窄的真空沟道;当PdO厚度为60 nm时,可通过更低的电形成电压获得更窄的真空沟道,使器件拥有更好的电学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴胜利	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	46	216	9.0	12.0
2	张劲涛	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	19	54	4.0	6.0
3	龙铭刚	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0
4	刘逸为	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0