MoS2薄膜电子性质随层数变化的理论研究

• 作者: 刘其军 刘正堂 史芹凡 周倩 岳芳 张恬 林燕菁 樊代和 魏云
• 来源期刊: 电子制作
• 关键词: MoS2 表面 电子结构 第一性原理
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 实验研究
• 页码范围: 84-85
• 页数: 2页
• 字数: 853字
• 语种: 中文

摘要

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了体相和1-10层3R-MoS2的几何结构和电子结构.计算获得了体相3R-MoS2的几何结构参数,与实验值相一致,表明了计算方法和参数设置的可靠性.随后,分别计算了1-10层3R-MoS2的几何结构和电子性质.可以看到,优化后的结构参数c随层数增加而线性增加;计算得到的带隙值随着层数的增加而呈现出减小趋势,并趋于稳定值.