Co掺杂GaSb电子结构和磁特性的第一性原理研究

• 作者: 张贺翔 林雪玲 潘凤春
• 来源期刊: 河南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: GaSb Co掺杂 电子结构 磁特性 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 物理与材料科学
• 页码范围: 50-55
• 页数: 6页
• 分类号: O433
• 语种: 中文
• DOI: 10.16366/j.cnki.1000-2367.2019.04.007

摘要

运用基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)框架下的第一性原理计算方法,研究了Co掺杂GaSb半导体的电子结构和磁特性,交换关联泛函采用局域密度近似(Local Density Approximation,LDA),通过U的引入对Ga-d电子和Sb-p电子的库仑作用势能进行修正,计算得到GaSb的禁带宽度和晶格常数与实验值相符.计算结果表明,Co替代Ga(Co@Ga)缺陷可以产生2μB的局域磁矩,而Co替代Sb(Co@Sb)缺陷对体系的局域磁矩没有贡献.Co@Ga产生局域磁矩之间的耦合为铁磁耦合,其居里温度的理论计算值高达410 K.对Co掺杂GaSb半导体的铁磁耦合机制进行了解释,为实验上制备GaSb基铁磁性半导体提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘凤春		20	22	3.0	3.0
2	林雪玲		19	22	3.0	3.0
3	张贺翔		1	0	0.0	0.0