3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为

• 作者: 冯婕 周东 张翔 文林 李豫东 王志铭 蔡毓龙 郭旗 马林东
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 背照式CMOS图像传感器 3 MeV质子 固定模式噪声 位移效应 电离总剂量效应
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: TP211.6|O472.8
• 字数: 1898字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2019.010601

摘要

用能量为3 MeV的质子对一款国产背照式CMOS图像传感器进行了辐照试验,得到了该传感器的固定模式噪声随质子注量和退火温度的变化情况.结果 表明,3 MeV质子辐照后,固定模式噪声有所退化;100℃退火后,固定模式噪声有明显恢复.退化原因主要是浮置扩散结构中位移缺陷引起的暗信号发生了非均匀性变化.此外,受工艺因素限制,读出电路晶体管中的SiO2-Si界面状态在各个像素单元中不一致,导致辐照后电离总剂量效应诱发的界面态陷阱电荷使各个像素单元中读出电路参数的退化情况不同,是固定模式噪声退化的另一个原因.