氢对(FeCo)xGe1-x磁性半导体结构成分及价态影响

• 作者: 刘栋 原所佳 孙振翠 张芹 裴娟
• 来源期刊: 山东交通学院学报
• 关键词: 磁性半导体 (FeCo)xGe1-x-H薄膜 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 页码范围: 78-82
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-0032.2019.04.011

摘要

利用磁控溅射技术在氩氢混合气氛以及纯氩(Ar)气氛中分别制备(FeCo)xGe1-x-H和(FeCo)xGe1-x磁性半导体薄膜.对于2种磁性半导体薄膜,采用X射线衍射仪测量表明,加氢对(FeCo)x Ge1-x-H的非晶结构没有影响;红外光谱测量结果显示,与氢钝化Si的悬挂键不同,氢没有钝化Ge的悬挂键;X光电子能谱测量结果表明,(FeCo)0.70Ge0.30-H和(FeCo)0.70Ge0.30薄膜中的(FeCo)与Ge的相对原子比值与样品制备时设定的比值一致,(FeCo)0.70Ge0.30-H薄膜中Fe、Co和Ge元素的能谱峰位置与(FeCo)0.70Ge0.30薄膜中对应元素的能谱峰位置基本一致,原因可能是Fe(Co)原子和H原子之间结合能化学位移很小,XPS仪器分辨率较低,因而未被检测出来.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	裴娟	山东交通学院理学院	3	1	1.0	1.0
2	原所佳	山东交通学院理学院	6	53	3.0	6.0
3	张芹	山东交通学院理学院	5	7	2.0	2.0
4	孙振翠	山东交通学院理学院	6	11	2.0	3.0
5	刘栋	山东交通学院理学院	1	0	0.0	0.0