氧化铝钝化膜沉积工艺研究

• 作者: 刘舟 禹庆荣 许烁烁 陈特超
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 光伏装备 沉积工艺 氧化铝薄膜 少子寿命
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1793字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2019.04.005

摘要

采用平板式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,开展氧化铝(Al2O3)薄膜沉积工艺的研究.通过在p型单晶硅片背表面沉积Al2O3和氮化硅(SiNx)薄膜,形成Al2O3/SiNx叠层钝化膜,研究了Al2O3薄膜沉积工艺中加热温度、工艺传送速度、微波功率、三甲基铝(TMA)流量等工艺参数对钝化效果的影响,得到了最佳的工艺参数:加热温度350℃、工艺传送速度240 cm/min、微波功率521W、TMA流量600 mg/min.在该工艺条件下进行Al2O3/SiNx叠层钝化膜的沉积,测试硅片的平均少子寿命达到335.7μs.在此基础上进行PERC电池生产,电池转换效率达到21.876％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈特超	中国电子科技集团公司第四十八研究所	21	38	3.0	5.0
2	禹庆荣	中国电子科技集团公司第四十八研究所	12	43	4.0	6.0
3	许烁烁	中国电子科技集团公司第四十八研究所	2	2	1.0	1.0
4	刘舟	中国电子科技集团公司第四十八研究所	1	0	0.0	0.0