(0.1～1.8)GHz SiGe HBT超宽带低噪声放大电路设计

• 作者: 叶小兰 孟洋 肖辽亮 魏正华
• 来源期刊: 宇航计测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超宽带 低功耗 低噪声放大器 温度特性
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 精密测试技术
• 页码范围: 27-32
• 页数: 6页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 2676字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12060/j.issn.1000-7202.2019.05.06

摘要

本文选用SiGe材料低噪声放大芯片,设计了一款(0.1～1.8)GHz小型低功耗超宽带低噪声放大器(LNA).该LNA采用两级放大结构,负反馈方式实现宽带匹配,级间和输出端匹配采用小阻值电阻提高电路稳定性,电路尺寸为35mm×15mm.测试结果表明:工作频率为(0.1～1.8)GHz,在室温条件下,增益为30dB,噪声系数＜0.82dB,增益平坦度＜0.5 dB,输入输出回波损耗＜-10dB,直流功耗为41.8mW;在-40℃低温条件下,增益为32dB,增益平坦度、输入输出回波损耗、直流功耗与室温下一致,噪声系数＜0.69dB.设计过程与测试结果验证了本文中使用室温SiGe放大管的S参数计算-40℃温度下该芯片S参数方法的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟洋	长沙民政职业技术学院电子信息工程学院	19	23	3.0	4.0
2	魏正华	长沙民政职业技术学院电子信息工程学院	3	0	0.0	0.0
3	肖辽亮	长沙民政职业技术学院电子信息工程学院	3	9	2.0	3.0
4	叶小兰	长沙环境保护职业技术学院环境监测系	2	0	0.0	0.0