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摘要:
以镓-镁掺杂的氧化锌(ZnO)陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃基片上沉积镓-镁共掺杂ZnO(ZnO:Ga-Mg)薄膜样品.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)的测试表征,研究了压强对ZnO:Ga-Mg样品结构性质和薄膜内应力的影响.结果表明,所有薄膜样品均为六角纤锌矿晶体结构并具有(002)择优取向生长特性,压强对其结晶性能和内应力具有明显的影响.当压强为3.5 Pa时,ZnO:Ga-Mg薄膜样品具有最强的(002)衍射峰、最大的平均晶粒尺寸、最小的张应力和最好的晶体质量.
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文献信息
篇名 不同压强下制备镓-镁共掺杂氧化锌薄膜的性能研究
来源期刊 中南民族大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 磁控溅射 掺杂氧化锌 压强 内应力
年,卷(期) 2019,(1) 所属期刊栏目 物理与电子信息科学
研究方向 页码范围 107-111
页数 5页 分类号 TN383
字数 2783字 语种 中文
DOI 10.12130/znmdzk.20190119
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 钟志有 中南民族大学电子信息工程学院智能无线通信湖北省重点实验室 67 360 11.0 14.0
2 朱雅 中南民族大学电子信息工程学院智能无线通信湖北省重点实验室 7 2 1.0 1.0
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磁控溅射
掺杂氧化锌
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中南民族大学学报(自然科学版)
季刊
1672-4321
42-1705/N
大16开
武汉市民院路5号
1982
chi
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