溅射压强对钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜性能的影响

• 作者: 刘汉法 史晓菲 郭美霞 高金霞
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: TGZO薄膜 透明导电薄膜 溅射压强 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制备技术及器件物理
• 页码范围: 54-58
• 分类号: O484
• 字数: 2931字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20112601.0054

摘要

利用直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出了透过率高、电阻率较低的钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜(TGZO).研究了溅射压强对TGZO薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明,溅射压强对TGZO薄膜的结构和电阻率有重要影响.X射线衍射(XRD)表明,TGZO薄膜为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构多晶薄膜.薄膜的电阻率具有随着溅射压强的增大先减小,后增大的规律,在溅射压强虽为11 Pa时,实验获得的TGZO薄膜晶格畸变最小,电阻率具有最小值1.48×10-4Ω·cm,透过率具有最大值94.3%.实验制备的TGZO薄膜附着性能良好,在400～760 nm波长范围内的平均透过率都高于90%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘汉法	山东理工大学理学院	57	316	11.0	13.0
2	史晓菲	山东理工大学理学院	5	28	3.0	5.0
3	郭美霞	山东理工大学理学院	8	40	5.0	6.0
4	高金霞	山东理工大学理学院	21	49	5.0	6.0