生长温度对In0.5Ga0.5As/GaAs量子点尺寸的影响

• 作者: 丁召 张之桓 杨晓珊 汤佳伟 王一 许筱晓 郭祥 马明明
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MBE In0.5Ga0.5As/GaAs量子点 S-K Ostwald
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 量子光学与量子信息
• 页码范围: 103-108
• 页数: 6页
• 分类号: O47
• 字数: 3055字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2019.01.017

摘要

采用分子束外延(MBE)技术制备In0.5Ga0.5As/GaAs量子点,利用扫描隧道显微镜(STM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征分析.研究表明量子点密度随温度升高先增大后减小,其尺寸随温度的升高而增大.另外,量子点以S-K模式生长并受Ostwald熟化机制影响,其尺寸增大所需的能量来自应变能和温度提供的能量,高温条件下表面原子的解吸附作用会限制量子点的生长.