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Modeling of program Vth distribution for 3-D TLC NAND flash memory
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摘要：
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| 篇名 | Modeling of program Vth distribution for 3-D TLC NAND flash memory | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 地球科学 |
| 关键词 | modeling and simulation measurement reliability program Vth distribution charge-trapping memory 3-D vertical channel TLC/QLC NAND flash memory | ||
| 年，卷（期） | zgkx_2019,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 183-192 | |
| 页数 | 10页 | 分类号 | N |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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3-D vertical channel TLC/QLC NAND flash memory
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