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文献信息
篇名 Modeling of program Vth distribution for 3-D TLC NAND flash memory
来源期刊 中国科学 学科 地球科学
关键词 modeling and simulation measurement reliability program Vth distribution charge-trapping memory 3-D vertical channel TLC/QLC NAND flash memory
年,卷(期) zgkx_2019,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 183-192
页数 10页 分类号 N
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
modeling and simulation
measurement
reliability
program Vth distribution
charge-trapping memory
3-D vertical channel TLC/QLC NAND flash memory
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
中国科学
月刊
CN 11-1789/N
出版文献量(篇)
3119
总下载数(次)
13
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