La、Bi共掺杂Ag/SnO2触头材料导电性能的理论分析

• 作者: 康慧玲 张颖 王景芹
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ag/SnO2 第一性原理 共掺杂 导电性
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 463-468
• 页数: 6页
• 分类号: TM53
• 字数: 3224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2019.03.022

摘要

通过CASTEP软件计算了La、Bi共掺杂SnO2的电子结构和导电性能,分析了晶格常数、能带结构、态密度和电荷布局.分析结果表明,共掺杂后的材料仍为直接带隙半导体材料,共掺杂后晶胞体积增加,La的5p和Bi的6s、6p电子态进入导带部分,使导带底向低能端移动,费米能级进入价带顶,带隙变小,载流子只需较小的能量就可以从价带跃迁至导带,与La,Bi单掺杂相比,SnO2的导电性进一步增强.该仿真结果与已有的实验结果相互验证,为获得导电性优良的Ag/SnO2触头材料提供了理论支持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王景芹	河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室	117	645	13.0	20.0
2	张颖	河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室	51	140	7.0	9.0
3	康慧玲	河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室	4	9	2.0	2.0