31～38 GHz宽带高效率GaAs中功率放大器芯片

• 作者: 刘会东 刘永强 韩芹 魏洪涛
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率放大器 毫米波 砷化镓 宽带 高效率 单片集成电路
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 169-173
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 2855字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201901.0169

摘要

为实现毫米波放大器芯片的宽带、高增益和高效率,基于GaAs pHEMT工艺实现高增益,采用四级级联拓扑结构拓展带宽,利用电流复用结构降低直流功耗,采用T型电抗匹配技术实现最佳输出功率和效率匹配,成功实现了一款31～38 GHz频段的毫米波宽带高效率功率放大器芯片.测试结果表明,该功率放大器芯片在31～38 GHz宽带范围内,线性增益为26～29 dB,饱和输出功率为21.5 dBm,动态电流低于100 mA,饱和效率≥37％,在32～35 GHz内最高效率达45％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏洪涛	中国电子科技集团有限公司第十三研究所	10	37	4.0	6.0
2	韩芹	中国电子科技集团有限公司第十三研究所	4	10	2.0	3.0
3	刘会东	中国电子科技集团有限公司第十三研究所	8	7	2.0	2.0
4	刘永强	中国电子科技集团有限公司第十三研究所	7	30	3.0	5.0