一种HEMT器件可缩放的非线性紧凑模型

• 作者: 刘文 孔欣 汪昌思 赵佐 陈勇波
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: EE-HEMT模型 高电子迁移率晶体管 非线性模型 紧凑模型
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 162-168
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 3332字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201901.0162

摘要

提供了一种应用于高电子迁移率晶体管(HEMT)的非线性紧凑模型.该模型针对传统的EE-HEMT模型理想缩放规律不准确的问题,提出采用一元函数拟合、二元曲面拟合方法,对其尺寸缩放和温度缩放规律进行修正.修正后的非线性模型可以准确地模拟HEMT器件的直流I-U、S参数和大信号特性.并将该模型应用于一款0.25μm栅长的GaAs pHEMT工艺,对比不同尺寸的器件在高低温条件下模型仿真结果和实测结果,两者吻合良好,验证了该模型的准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔欣	中国电子科技集团公司第二十九研究所	2	0	0.0	0.0
2	陈勇波	中国电子科技集团公司第二十九研究所	2	0	0.0	0.0
3	汪昌思	中国电子科技集团公司第二十九研究所	2	0	0.0	0.0
4	刘文	中国电子科技集团公司第二十九研究所	11	16	3.0	4.0
5	赵佐		1	0	0.0	0.0