NAND闪存物理特征测试平台设计

• 作者: 刘政林 张海春 潘玉茜 王志强
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 信息技术 NAND闪存 测试平台 可靠性 耐力测试
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 电子与信息工程
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TP333
• 语种: 中文
• DOI: 10.13245/j.hust.190801

摘要

设计了基于现场可编程门阵列(FPGA)的快速、准确且可扩展的自动化闪存测试平台,测试平台由主机图形用户界面(GUI)、FPGA控制器和NAND闪存子板组成,通过更换测试座可以适配不同封装和不同类型的NAND闪存芯片,一个FPGA控制器可同时完成8块闪存芯片测试.实验结果表明:当编程/擦除(P/E)操作重复100次时,16 MiB的多层单元闪存(MLC)块测试时间为146 s,8个闪存芯片块的测试时间为188 s.对于常见的闪存芯片,1 d内可完成一个闪存块的耐力测试.原始错误比特数、擦除时间和编程时间随着闪存寿命有规律地变化,读取时间与闪存寿命无明显关系.测试结果符合闪存原理特性,表明测试平台快速有效且并行性高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志强	华中科技大学光学与电子信息学院	15	110	6.0	10.0
2	刘政林	华中科技大学光学与电子信息学院	100	722	14.0	21.0
3	张海春	华中科技大学光学与电子信息学院	3	0	0.0	0.0
4	潘玉茜		1	0	0.0	0.0