基于可变消隐时间的SiC MOSFET Uds检测法

• 作者: 伍思凯 刘畅 王利辉
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 漏源电压 短路保护
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 器件与测试
• 页码范围: 109-112,124
• 页数: 5页
• 分类号: TQ164
• 语种: 中文

摘要

漏源电压检测作为一种成熟的检测方法,广泛用于碳化硅金属-氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)短路保护.从兼容性角度考虑,为满足不同工况下的短路保护要求,检测电路内的消隐时间需从大设置,这势必会影响保护速度甚至无法有效保护器件.在此分析了传统漏源电压检测中消隐时间设置的机理,提出一种能随不同工况改变消隐时间的漏源电压检测电路.内置的漏源电压欧姆区检测单元使开通瞬态下的检测消隐时间随工况改变,加快负载故障(FUL)检测速度;栅压检测单元利用栅极电压在短路时的特性加快硬切换故障(HSF)检测速度,达到抑制短路电流、有效保护器件的目的,并通过实验验证了该方法的可行性.