单晶硅太阳电池黑角问题的研究

• 作者: 和江变 李显光 邹凯
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅太阳电池 EL检测 少子寿命 SEM测试 择优腐蚀
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 889-895
• 页数: 7页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 4914字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.05.020

摘要

用电致发光(EL)技术检测P型常规单晶硅太阳电池,发现角部发黑问题.研究其与电池制造工艺或单晶硅材料的相关性,测试正常和黑角电池片的电性能参数发现黑角电池光电转换效率低于19.90％.经腐蚀剥离电池分析基底单晶硅材料,发现黑角处材料的少子寿命比中心位置处低约50μs以上.用Schimmel A择优腐蚀液剥离黑角电池,在黑角位置的硅材料明显出现位错缺陷,且缺陷数量高于中心区域.经多项实验检测分析,初步得出EL测试出现黑角边问题的单晶硅电池与基底硅材料的原生缺陷有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	和江变		4	7	2.0	2.0
5	邹凯		1	0	0.0	0.0
9	李显光		4	0	0.0	0.0