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摘要:
为研究等离子体对复合绝缘子硅橡胶憎水性的影响,采用低温氩气等离子体分别对表面洁净硅橡胶和表面染污硅橡胶进行处理,测试样品憎水性恢复以及憎水性迁移过程中的静态接触角变化情况,同时用扫描电子显微镜(SEM)观测硅橡胶经等离子体处理后以及涂覆人工污秽时的表面形貌.实验结果表明,随着等离子体处理时间的增加,硅橡胶憎水性恢复速率逐渐增大,恢复稳定时的憎水角小于未处理样品.等离子体对硅橡胶的憎水性迁移有明显的促进作用,染污样品经等离子体处理后的憎水角迁移至稳定时的值比未处理样品大20°~40°.等离子体作用下硅橡胶表面产生孔洞和裂纹,而污秽层呈现出疏松多孔的特点,二者均有利于内部小分子迁移至表层,这是等离子体能促进硅橡胶憎水性迁移的主要原因.
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文献信息
篇名 等离子体作用后硅橡胶憎水性恢复及憎水迁移特性研究
来源期刊 电工技术学报 学科 工学
关键词 硅橡胶 等离子体 憎水性恢复 憎水性迁移 扫描电子显微镜
年,卷(期) 2019,(z1) 所属期刊栏目 高电压与绝缘
研究方向 页码范围 433-439
页数 7页 分类号 TM855
字数 3633字 语种 中文
DOI 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L80700
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王建国 武汉大学电气工程学院 99 1456 23.0 33.0
2 肖雄 武汉大学电气工程学院 8 14 2.0 3.0
3 吴照国 武汉大学电气工程学院 2 9 1.0 2.0
4 童瑶 武汉大学电气工程学院 3 1 1.0 1.0
5 谢思洋 武汉大学电气工程学院 1 0 0.0 0.0
6 宋师男 武汉大学电气工程学院 1 0 0.0 0.0
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憎水性迁移
扫描电子显微镜
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电工技术学报
半月刊
1000-6753
11-2188/TM
大16开
北京市西城区莲花池东路102号天莲大厦10层
6-117
1986
chi
出版文献量(篇)
8330
总下载数(次)
38
总被引数(次)
195555
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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