氮化镓基PIN紫外探测器芯片研究

• 作者: 孟锡俊 李建婷
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: 探测器 紫外 Ni/Au ITO
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 理论与算法
• 页码范围: 63-64
• 页数: 2页
• 字数: 1108字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-8519.2019.11.022

摘要

通过对氮化镓基PIN紫外探测器不同外延结构及芯片制备工艺的研究,发现探测器性能和外延层结晶质量及芯片制备工艺有很大的关系.采用ITO扩展电极制备的探测器反向漏电很大,暗电流高,采用Ni/Au半透明电极制备的探测器芯片,光电流相对ITO透明电极有一定程度的降低,但能保证较低的暗电流,防止器件漏电.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建婷		4	6	1.0	2.0
2	孟锡俊		4	2	1.0	1.0