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Cu元素比例对Cu2ZnSnS4薄膜光电性能的影响
Cu元素比例对Cu2ZnSnS4薄膜光电性能的影响
作者:
姚恺丽
曾友鹏
杨秀凡
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Cu2ZnSnS4薄膜
Cu组分
光电性能
摘要:
采用溶胶-凝胶法,以金属醇盐和硫脲为原料,并将乙二醇甲醚为溶剂在玻璃衬底上制备不同Cu组分比例的Cu2ZnSnS4薄膜材料,通过金相显微镜进行观察.结果表明:Cu元素摩尔比为1.8、1、9时,薄膜表面颗粒分布较为均匀,最强吸光度为0.23A、透射比为80.86%.随着Cu比例的增大,载流子浓度逐渐升高,迁移率和霍尔电压降低,最大载流子浓度和迁移率分别为3.87×1017/cm3和3.58×102cm2/V.S,霍尔电压最大值为12mV,Cu元素比例增加后,CZTS薄膜结晶质量变差,电阻率减小.
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文献信息
篇名
Cu元素比例对Cu2ZnSnS4薄膜光电性能的影响
来源期刊
河南科技
学科
工学
关键词
Cu2ZnSnS4薄膜
Cu组分
光电性能
年,卷(期)
2019,(14)
所属期刊栏目
能源与化学
研究方向
页码范围
124-127
页数
4页
分类号
TB383.2
字数
2699字
语种
中文
DOI
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姓名
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杨秀凡
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曾友鹏
安顺学院电子与信息工程学院
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河南科技
主办单位:
河南省科学技术信息研究院
出版周期:
旬刊
ISSN:
1003-5168
CN:
41-1081/T
开本:
16开
出版地:
河南省郑州市
邮发代号:
36-175
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
31576
总下载数(次)
98
总被引数(次)
44105
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