射频磁控溅射法制备Cu2ZnSnS4薄膜

• 作者: 史成武 文亚南 李琳 梁齐 陈士荣
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: Cu2ZnSnS4 射频磁控溅射 快速退火 多晶薄膜 择优取向
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 47-50
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3001字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.07.014

摘要

利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4( CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火.通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响.结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀.退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史成武	合肥工业大学化学工程学院	43	476	11.0	20.0
2	梁齐	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	47	197	7.0	10.0
3	李琳	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	41	313	11.0	15.0
4	文亚南	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	8	21	3.0	4.0
5	陈士荣	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	3	12	2.0	3.0