射频溅射金属前驱体硫化法制备的Cu2ZnSnS4薄膜

• 作者: 付玉军 张军 邵乐喜 邵栋
• 来源期刊: 中山大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: Cu2ZnSnS4薄膜 太阳电池 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 所属期刊栏目: 能源与环境材料国际研讨会专辑
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+1|TB43
• 字数: 324字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0529-6579.2007.z1.015

摘要

采用射频溅射技术沉积Cu/Sn/Zn金属前驱体叠层结合硫化技术在玻璃衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4薄膜.X-射线衍射分析表明,通过优化制备条件可以获得单一黝锡矿结构且具有(221)择优取向的Cu2ZnSnS4薄膜.霍尔效应和紫外可见透过谱测量表明,样品的薄膜电阻、吸收系数和光学带隙分别达到0.073 Ω·cm, 104 cm-1和 1.53eV,具有适合作为薄膜太阳电池吸收层应用的可能性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张军	湛江师范学院物理科学与技术学院	65	414	11.0	18.0
5	邵乐喜	湛江师范学院物理科学与技术学院	22	106	6.0	9.0
6	付玉军	兰州大学物理科学与技术学院	8	51	4.0	7.0
7	邵栋	浙江大学生物医学工程与仪器科学学院	1	3	1.0	1.0