绝缘栅双极晶体管(IGBT)表面耐压结构仿真研究

• 作者: 范晓波
• 来源期刊: 中国设备工程
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 功率半导体 表面耐压 终端结构 多环系统
• 年，卷（期）: 2019,（18）
• 所属期刊栏目: 工艺与技术
• 页码范围: 118-119
• 页数: 2页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 1133字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-0711.2019.18.070

摘要

绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为新一代的功率半导体器件,高电压大电流是未来的发展趋势,研究人员一直都将器件的表面耐压作为研究的重点.本文采用ISE仿真软件对器件终端结构进行研究,分析了多环系统的表面电场、表面电势以及击穿特性.结果表明,高压IGBT终端必须采用多环系统,而且随着电压的进一步提高,环数也必须增加,以满足耐压的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范晓波		6	1	1.0	1.0