基于有源偏置的0.5-7.0GHz单片集成放大器设计

• 作者: 宋学峰 王云飞
• 来源期刊: 中国高新区
• 关键词: pHEMT 达林顿 增强型 有源偏置 GainBlock
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 高新科技
• 页码范围: 27-28
• 页数: 2页
• 字数: 1118字
• 语种: 中文

摘要

基于砷化镓增强型pHEMT工艺设计了一款0.5-7.0GHz GainBlock宽带单片集成放大器,其拓扑结构为达林顿结构.为克服E型工艺开启电压随温度变化导致跨导波动大的问题,该放大器采用有源偏置技术作为分压网络.与电阻分压达林顿结构相比,该有源偏置拓扑结构可以明显降低工作点对温度的敏感性,减小增益的波动范围.测试结果显示,该款放大器在+5V工作电压下,在0.5-7.0GHz的宽带频率范围内实现小信号增益大于14dB,P1dB(1dB压缩点输出功率)大于17dBm.高低温的增益波动范围优于0.5dB,并且它的面积仅为1.0mmX0.5mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋学峰	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	13	2.0	3.0
2	王云飞	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	0	0.0	0.0