介质中双缺陷电荷对碳纳米管场效应晶体管 量子输运特性的影响

• 作者: 王能平 魏志超
• 来源期刊: 计算物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 非平衡格林函数 碳纳米管 场效应管 随机电报信号杂音
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 页码范围: 352-364
• 页数: 13页
• 分类号: O469
• 语种: 中文
• DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.8054

摘要

用非平衡格林函数理论和紧束缚模型近似计算长沟道弹道输运p型碳纳米管场效应管中电流强度.研究当场效应管介质(SiO2)中存在两个带电缺陷时,载流子散射所引起的电流强度减小和栅极阈值电压偏移量与缺陷位置的关系.介质中两个缺陷所带电荷Q1=Q2=+e(-e为电子电荷),都靠近源极或者都靠近漏极,或者一个电荷靠近源极另一个电荷靠近漏极.在工作状态下,所引起的电流强度相对减小比介质中只存在单个正电荷Q=+e且靠近源极(或漏极)时所引起的电流强度相对减小大得多.如果两个正电荷都在沟道中央附近,随着两个电荷的轴向距离减小,栅极阈值电压偏移的绝对值明显增加.栅极阈值电压偏移可达到-0.35 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王能平	宁波大学物理科学与技术学院微电子科学与工程系	6	1	1.0	1.0
2	魏志超	宁波大学物理科学与技术学院微电子科学与工程系	1	0	0.0	0.0