GaN能量转换器件的制作及其性能研究

• 作者: 张达芮 王丁 王现英
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: GaN纳米线阵列 PMMA 纳米发电机 微纳器件 热电耦合 能量转换
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 页码范围: 62-65
• 页数: 4页
• 分类号: TN384
• 字数: 2146字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2020.03.012

摘要

针对纳米发电机不易在较低温度下产生稳定的直流电的问题,文中把GaN纳米线阵列制作了能量转换器件.将GaN能量转换器件分别置于25～74℃的环境中,检测器件产生的开路电压和短路电流,并检测器件产生电信号大小与温度的关系.结果表明,通过刻蚀法制备的GaN纳米线阵列,制作成能量转换器件后,产生的电信号会随着环境温度的升高而增加,并且在约74℃时,可以产生高达78 mV的开路电压和0.24 nA的短路电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王现英	上海理工大学材料科学与工程学院	22	61	5.0	7.0
2	王丁	上海理工大学材料科学与工程学院	12	28	3.0	5.0
3	张达芮	上海理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0