GaAs晶体的电子结构和光学性质的第一性原理研究

• 作者: 张锐 熊明姚 罗玲 苏欣
• 来源期刊: 伊犁师范学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 第一性原理 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 23-27
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2441字
• 语种: 中文

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法计算GaAs晶体的电子结构和光学性质,计算基组采用广义密度泛函(GGA)和赝势选取规范场赝势(NCP)对GaAs晶体进行理论计算研究.研究发现GaAs晶的带隙是1.019 eV,通过态密度图分析可知:价带顶主要由As的4s态组成,导带底由Ga的4s、4p和As的4s、4p态形成的杂化轨道共同构成,GaAs晶体是一种直接带隙晶体;为深入了解GaAs的光学性质,计算给出了折射率、介电函数,以及反射和吸收系数等光学性质的理论结果,从而探究电子结构和光学性质的内在联系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏欣	伊犁师范大学物理科学与技术学院	2	0	0.0	0.0
2	熊明姚	伊犁师范大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0
3	罗玲	伊犁师范大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0
4	张锐	伊犁师范大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0