垂直腔面发射激光器中GaAs/AlGaAs的选择性刻蚀技术研究

• 作者: 冯源 张秋波 晏长岭 李辉 郝永芹
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 垂直腔面发射激光器 GaAs/AlGaAs 湿法刻蚀 感应耦合等离子体刻蚀 选择性内蚀 镂空
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 激光器件与激光物理
• 页码范围: 21-26
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL202047.0401001

摘要

在氧化物限制型垂直腔面发射激光器制备中,刻蚀GaAs/AlGaAs时因异质型材料常出现选择性内蚀现象,这会直接影响后续的氧化工艺及电极钝化的效果.针对因选择性内蚀而出现的“镂空”现象,对湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺进行详细研究,研究结果表明通过调整刻蚀液体积配比和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀下电极射频功率可有效消除“镂空”现象.湿法刻蚀中,当刻蚀液H3PO4-H2O2-H2O各物质体积配比为1∶1∶10时,得到了陡直度较好且光滑的侧壁.ICP干法刻蚀时,通过改变下电极RF功率可调整腔室内的化学刻蚀和物理刻蚀的动态平衡,在下电极射频功率为100 W时,“镂空”现象基本消失,且侧壁陡直度大于80°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝永芹		28	87	5.0	8.0
2	晏长岭		16	16	3.0	3.0
3	李辉		19	94	6.0	9.0
4	冯源		17	48	4.0	6.0
5	张秋波		1	0	0.0	0.0