基于银纳米薄膜欧姆接触的高波长选择性紫外探测器研究

• 作者: 周玉刚 张荣 张齐轩 梁志斌 许朝军 郑有炓 陆海
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: p-i-n紫外探测器 GaN 银纳米薄膜 波长选择性
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 64-67
• 页数: 4页
• 分类号: TN364.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2020.01.013

摘要

常规的半导体紫外探测器波长响应范围宽,而紫外光的应用具有较强的波长选择性,如320 nm波段的紫外光在医学方面有重要的应用,因此,具有高波长选择性的紫外探测器的研制有重要意义.文章采用GaN基p-i-n探测器结构,通过在p区覆盖银纳米薄膜作为欧姆接触层和波长选择透射层,成功制备了对320 nm波段紫外光高选择性探测的紫外探测器,器件性能如下:70 nm银层的紫外光透射率峰值超过30％,器件在-5V偏压下的暗电流为10-12 A量级,响应峰值为0.06 A/W,响应峰发生在325 nm处,光谱响应峰半高宽约30 nm.