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摘要:
针对高密度TSV阵列中相邻TSV受耦合电容影响产生耦合噪声,使信号传输可靠性下降,基于TSV阵列,分析了TSV数量和位置变化对串扰耦合的影响.以3×3 TSV阵列为研究对象,提出了4种布局结构并进行仿真分析.实验结果表明:TSV阵列中的耦合电容不会随着数量的增加而线性增加,边缘相邻TSV间的耦合电容比中间相邻TSV间的耦合电容大40%;根据串扰耦合得到2种利于TSV阵列扩展的结构模型,其具有较好的传输性能.
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文献信息
篇名 TSV阵列的串扰耦合与布局结构分析
来源期刊 桂林电子科技大学学报 学科 工学
关键词 TSV阵列 耦合电容 布局结构
年,卷(期) 2020,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 125-129
页数 5页 分类号 TN4
字数 2670字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 尚玉玲 桂林电子科技大学电子工程与自动化学院 45 255 8.0 14.0
2 陈熠 桂林电子科技大学电子工程与自动化学院 1 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
TSV阵列
耦合电容
布局结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
桂林电子科技大学学报
双月刊
1673-808X
45-1351/TN
大16开
广西桂林市金鸡路1号
1981
chi
出版文献量(篇)
2598
总下载数(次)
1
总被引数(次)
11679
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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