TSV阵列的串扰耦合与布局结构分析

• 作者: 尚玉玲 陈熠
• 来源期刊: 桂林电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: TSV阵列 耦合电容 布局结构
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 页码范围: 125-129
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 2670字
• 语种: 中文

摘要

针对高密度TSV阵列中相邻TSV受耦合电容影响产生耦合噪声,使信号传输可靠性下降,基于TSV阵列,分析了TSV数量和位置变化对串扰耦合的影响.以3×3 TSV阵列为研究对象,提出了4种布局结构并进行仿真分析.实验结果表明:TSV阵列中的耦合电容不会随着数量的增加而线性增加,边缘相邻TSV间的耦合电容比中间相邻TSV间的耦合电容大40％;根据串扰耦合得到2种利于TSV阵列扩展的结构模型,其具有较好的传输性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尚玉玲	桂林电子科技大学电子工程与自动化学院	45	255	8.0	14.0
2	陈熠	桂林电子科技大学电子工程与自动化学院	1	0	0.0	0.0